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IXTH 28N50Q
IXTT 28N50Q
56
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
49
42
35
50
40
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
28
21
T J = -40 o C
25 o C
30
20
14
7
0
125 o C
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
14
28
42
56
70
84
84
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V D S = 250V
70
8
I D = 14A
I G = 10mA
56
6
42
28
14
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1M Hz
C iss
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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